実験室で模擬CSPプロセスを用いてHi-B高磁束密度方向性シリコン鋼薄板（/%:0.07C,3.02Si,0.13Mn,0.020P,0.006S,0.21Cu,0.025Cr,0.016A1,0.004Sn）の試作を行った。この鋼は25kgの真空誘導炉で溶解され、41mm×120mmの板坯に鋳造され、熱間圧延で2mmの板にし、1120℃で焼なまし、冷間圧延で0.27mmの薄板とした。830〜870℃、3〜7分のアニーリングが再結晶組織およびテクスチャに与える影響を研究した。結果は、0.27mmのCu含有Hi-B高磁束密度方向性シリコン鋼板の適切なアニーリングは830℃5分であり、平均結晶粒径は15.6μm、不利なテクスチャ{111}〈110〉および{001}〈110〉の含有量は低く、有利なテクスチャ{111}〈112〉の分布は合理的で、二次再結晶アニーリング過程で良好なガウス組織の形成に寄与することを示した。

Cu含有Hi-B高磁束密度方向性シリコン鋼;模擬CSPプロセス;初回再結晶アニーリング;組織;テクスチャ